北新建筑材料进军半导体新材料产业
9月5日，北新建筑材料与中科院半导体所、北京科技风险投资股份有限公司等单位共同签署协议，发起组建中科镓英有限公司，进行高科技研究成果的产业化工作。公司注册资本1亿元人民币，北新建筑材料出资2000万元人民币，占该公司注册资本的20％，注册地为中关村科技园区新材料产业基地北新新材料园。
中科镓英有限公司主要生产直径4英寸的SI—GaAs和其它化合物半导体晶片，并能兼容生产6英寸晶片，在砷化镓单晶片基底上，以分子束外延技术规模化生产微结构材料分子束外延片。产品应用于光纤通信、卫星通信、无线数据、无线电话、测试与测量、计算机、电信业、汽车电子等领域。
进入90年代后，以砷化镓(GaAs)为代表的化合物半导体加速发展，相关技术日趋成熟，产业化程度不断提高。1997年，化合物半导体相关产业的产值是57亿美元，预计2002年将超过100亿美元。1999年美国召开国际砷化镓集成电路会议之后，一些国际闻名的专家认为，砷化镓革命才刚刚开始，并将进入光辉灿烂的时代。
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