日本研制出LSI陶瓷封装新技术
京瓷公司在千叶县幕张Messe举行的“InterOpto 2000”上，展示了面向40Gb/s数据传输速度的光通信用LSI的陶瓷封装技术。该封装技术对应40Gb/s的光通信系统，是目前正在逐步成为主流的10Gb/s系统的新一代版本，估计在2001年上半年开始商品化。
此次展示的封装采用了低温烧结陶瓷基板，该材料目前主要用于Bluetooth以及手机的RF模块，即所谓的LTCC。这种RF模块的区别在于所用的陶瓷材料，其特点是，考虑到在40Gb/s的高频环境下的工作，降低了高频带的信号损耗。所用材料的产品名称为“HITCE”。
比介电率只有5.3，介电正接(tanδ)也只有34×10-4。布线材料使用Cu/Ni/Au，降低了布线电阻。在40GHz以下的反射损耗(Return Loss)只有-20dB，据说“即使在40Gb/s的高速系统中，实际应用也不会出现问题”(京瓷解说员)。热膨张系数为12.3×10-6/℃，热传导率为2.0W/mK。实际安装的陶瓷封装外壳。
另一方面，用于RF模块的陶瓷材料采用了“GL660”，该材料主要的特征是便于小型化。比介电率为9，与主要用于低损耗功率放大器的材料“GL550”的5.7相比，略高一些。
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